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本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种屏蔽栅VDMOS器件。本发明提供一种限定雪崩击穿点的屏蔽栅VDMOS器件，在现有屏蔽栅VDMOS器件，通过采用不同的槽栅介质材料，在不同介质材料的交界处产生电场尖峰，使电场峰值出现在槽的中部。...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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