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本发明公开了一种闪存单元器件及闪存，应用于半导体领域，该闪存单元器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底中的沟道区、源区和漏区，源区和漏区分别与沟道区连接，漏区包括多个相互隔离的子漏区；位于沟道区上方的浮栅层和位于浮栅层上方的控制栅层，浮栅层与...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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