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本发明公开了一种具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaN MMIC器件及制备方法，本发明具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaN MMIC器件结构，这种新型器件结构避免了背面深孔刻蚀的复杂工艺，可以实现正面直接源接地，同时利用石墨烯优越的热导率迅速...
该专利属于北京华进创威电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京华进创威电子有限公司授权不得商用。

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