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一种基于离子注入的GaN功率器件及其制造方法，包括由下往上依次设置的GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上设置有源电极、栅电极和漏电极，其中所述源电极和漏电极均为欧姆接触，所述栅电极为肖特基接触，且各电极之间覆...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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