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一种在氧化硅湿法刻蚀中降低硅损伤的方法技术
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文档序号:16218129
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本发明提出一种在氧化硅湿法刻蚀中降低硅损伤的方法,包括下列步骤:将过量氮气通入氢氟酸溶液中,使得其中的氧气析出,从而降低氧含量;将硅片浸入所述氢氟酸溶液中进行清洗处理后取出;将所述硅片进行水洗干燥处理。本发明提出的在氧化硅湿法刻蚀中降低硅损...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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