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本实用新型公开了一种TVS二极管PN结结构，其特征在于，在所述TVS二极管的有源区内、PN结深度方向上设置有空隙，空隙的深度与PN结深度相同，空隙侧面面积大于空隙所减少的有源区底面面积。上述结构可以在不改变产品尺寸和工艺条件增加浪涌功率，使...
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