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本发明提供一种互补纳米线半导体器件及其制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有NMOS有源区域、PMOS有源区域及浅沟槽隔离区域；在NMOS有源区域和PMOS有源区域上选择性外延生长锗晶体材料，以形成第一多边体外延线；选择性蚀刻衬底，使该第...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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