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本发明涉及具有非松弛应变通道的场效应晶体管，其用于场效应晶体管的装置结构及使用硅绝缘体衬底的装置层形成此类装置结构的方法。在装置层中形成通道及隔离区。位于栅极结构下方的通道于装置层上形成并在应变下由半导体材料所构成。装置层的一部分位于隔离区...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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