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本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种硅片抛光方法。所述方法，包括如下步骤：在将硅片放置于处理腔之前或将硅片放置于处理腔之后，在所述硅片表面形成液体薄膜；同时向所述处理腔中通入氧化性气体和含有刻蚀成份的气体或液体；或，先向所述处理腔中通...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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