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本发明提供了一种基准电压生成电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：耗尽型NMOS晶体管N1和增强型NMOS晶体管N2；耗尽型NMOS晶体管N1的漏极接电源，栅极和源极接输出端VREF；增强型NMOS晶体管N2的源极接地，栅极和漏极接...
该专利属于长沙方星腾电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙方星腾电子科技有限公司授权不得商用。

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