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本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法及半导体集成电路装置，其中，在实施用以形成周边电路区域(ER2)的逻辑栅极(G5、G6)的光掩膜工序时，也能够同时对存储器电路区域(ER1)的环绕导电层(Ga、Gb)进行分断，由此能够形成被电隔离的...
该专利属于株式会社佛罗迪亚所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社佛罗迪亚授权不得商用。

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