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用于清洗半导体元件的包含碱土金属的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法技术
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下载用于清洗半导体元件的包含碱土金属的清洗液、和使用其的半导体元件的清洗方法的技术资料
文档序号:16178849
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根据本发明,可以提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣和光致抗蚀剂的清洗液,所述半导体元件具有:低介电常数膜(Low‑k膜)、以及选自包含10原子%以上的钛的材料和包含10原子%以上的钨的材料中的1种以上,所述清洗液包含选自由过氧化物、高氯...
该专利属于三菱瓦斯化学株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱瓦斯化学株式会社授权不得商用。
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