温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种低压工艺中的高压NMOS晶体管，属于半导体集成电路技术领域。该晶体管包括：P型衬底PSUB、N型阱NWELL、第一N型掺杂N+1、第二N型掺杂N+2和多晶硅POLY；本发明在传统的低压NMOS晶体管的基础上，在第二N型掺杂N...
该专利属于长沙方星腾电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长沙方星腾电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。