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本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具有：积层体，具有经由层间绝缘膜而积层的多个第1导电膜；第1导电体，与所述积层体相接且在积层方向延伸；以及多个第1绝缘膜，与所述多个第1导电膜为同一层，配置于所述第1导电体与所述多个...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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