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本发明涉及一种定向生长的二氧化钛纳米簇阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域，其特征在于可通过如下技术方案实现：利用双光束或多光束激光干涉光路系统，对清洗过的FTO导电基底进行激光干涉光刻刻蚀，将预图案化的FTO导电基底放进由去离子水、钛...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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