温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器及其制备方法，属于阻变存储领域。一种具有普适性的非易失性一次写入多次读取存储器，包括衬底，衬底之上依次为底电极、存储介质层、顶电极，所述的存储介质层是纯绝缘性聚合物层，并公开了其制备...
该专利属于南京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。