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本发明是鉴于上述问题而提出的，目的在于在SiC－MOSFET处在不使体二极管动作的状态下进行回流。本发明的碳化硅半导体装置具有：漏极电极(27)；欧姆电极(25)及肖特基电极(26)，它们在漏极电极(27)之上分别与漏极电极(27)接触且彼...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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