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描述了一种变容二极管，其可以在CMOS中构建并且具有高调谐范围。在一些实施例中，所述变容二极管包括：阱；多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，所述栅极的第一...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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