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纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列技术
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文档序号:16113314
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本发明涉及纳米技术领域,具体公布一种纳米线阵列的雕刻方法。这种方法包括:1)制作纳米线;2)在所述纳米线表面进行多层光刻胶的涂覆处理,形成NAs@PR基质,用紫外光曝光NAs@PR基质,最后将NAs@PR基质浸没在刻蚀溶液中。通过本雕刻方法...
该专利属于南方科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过南方科技大学授权不得商用。
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