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闪存路径中的耐高速、高电压的电路制造技术
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文档序号:16113130
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电路包括被耦合到非易失性存储器(NVM)单元的第一字线。第一路径包括第一逆变器和晶体管。晶体管被耦合到字线。第一路径被耦合以接收第一输入电压信号。第二路径至少包括被耦合到字线的晶体管。将第二路径的至少一部分嵌入在第一路径内。第二路径被耦合以...
该专利属于赛普拉斯半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过赛普拉斯半导体公司授权不得商用。
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