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本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置包括第一多晶硅和第二多晶硅作为电阻元件，所述第一多晶硅和第二多晶硅包含诸如硼等的同种杂质并且具有不同的宽度。第一多晶硅包含浓度为CX的杂质。第二多晶硅的宽度大于第一多晶硅的宽度，并...
该专利属于三重富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过三重富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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