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本实用新型具体涉及一种基于单质子径迹成像的中子能谱测量装置及方法。包括中子转换体、质子径迹发光室、成像系统和电源；中子转换体包括中子源、中子‑质子转换靶和光阑；质子径迹发光室包括腔室，设置在腔室外一端的质子入射密封窗口、设置在腔室内的圆筒形...
该专利属于清华大学;西北核技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;西北核技术研究所授权不得商用。

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