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本发明提供了一种氮化镓位置灵敏辐射探测器及其制备方法，属于半导体器件制备技术领域。探测器以半绝缘氮化镓单晶为衬底，其上依次生长n型氮化镓层、InGaN插入层、高阻氮化镓探测灵敏区、图形化p型氮化镓层和绝缘介质保护层；其中，InGaN插入层的...
该专利属于大连理工大学;中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学;中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

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