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本发明涉及一种倒装芯片封装的集成电路的电路修改方法，所述集成电路包括基板，以及倒装封装于所述基板的芯片，所述芯片与所述基板贴合的一面上具有待修改区域；所述电路修改方法包括如下步骤：(1)对所述芯片进行研磨；(2)采用聚焦离子束结合刻蚀辅助气...
该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所授权不得商用。

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