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本发明提供了一种雪崩光电二极管器件结构参数的调整方法，通过二极管器件的结构参数来计算其内部的电场分布，将仿真后的初始电场分布与预设电场分布进行比较，根据理论公式推导结果，反过来修正结构参数。重复上述过程，直到得到较优的电场分布。本发明的调整...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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