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本发明是一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法，利用石墨烯量子点表面效应的高化学活性横向诱导红荧烯晶体生长的方法。在SiO2衬底（3）制备石墨烯量子点（1）诱导层，红荧烯分子（2）在石墨烯量子点（1）诱导下沿石墨烯量子点（1）边缘...
该专利属于长春工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春工业大学授权不得商用。

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