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本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；...该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。
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本发明涉及一种用于生产激光芯片（140）的方法，包括如下的步骤：用于提供具有顶侧（101）和底侧（102）的半导体晶片（100）的步骤，其中半导体晶片具有沿着限定的断裂方向（10）一个接在另一个之后地布置的多个集成激光二极管结构（141）；...