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磁阻元件和磁存储器制造技术
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文档序号:16049641
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本实施方案提供能降低漏磁场的磁阻效应元件和使用其的磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1磁性层、第2磁性层以及设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的第1非磁性层,所述第2磁性层具备包含选自由Mn、Fe、Co和Ni组成的第1组的至少一...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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