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根据本发明，提供一种去除半导体元件表面的干蚀刻残渣的清洗液，所述半导体元件具有：(1)包含钴或钴合金的材料或者(2)包含钴或钴合金和钨的材料、和低介电常数层间绝缘膜，所述清洗液包含碱金属化合物0.001～7质量％、过氧化物0.005～35质...
该专利属于三菱瓦斯化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱瓦斯化学株式会社授权不得商用。

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