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本发明公开了一种具有第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元的阵列在所述半导体衬底中以多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底表面上的第二导电类型的第一区，以及位于所述半导体衬底表面上的所述第二导电类型的...
该专利属于硅存储技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅存储技术公司授权不得商用。

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