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本发明的非易失性存储装置包括：多条位线；多条字线；存储单元阵列，其具有多个存储单元，各个所述存储单元包括非易失性存储元件，并且多个所述存储单元分别被布置在所述多条位线与所述多条字线的多个交叉部处；基准电压生成电路，其生成读出基准电压，所述读...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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