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本发明具有如下工序：在表面呈格子状配置圆锥状或角锥状的凸部而形成的蓝宝石基板上，使缓冲层生长到所述凸部的顶端宽度以下、并且10nm以上且330nm以下的厚度而形成的工序；和在所述缓冲层上使氮化物半导体层生长而形成的工序。...
该专利属于住友化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友化学株式会社授权不得商用。

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