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本揭露涉及半导体结构及制造其的方法。具体的，本揭露的一些实施例揭露一种半导体结构，其包括第N金属层；底部电极，其在所述第N金属层上方；磁性穿遂结MTJ，其在所述底部电极上方；顶部电极，其在所述MTJ上方；以及第(N+M)金属层，其在所述第N...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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