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本发明公开了一种横向结构锗/硅异质结雪崩光电探测器，器件制作在SOI(Silicon‑on‑Insulator)衬底上，具有双台面结构，包括：衬底、埋层氧化硅、硅台面区、硅空间区、硅接触区、电极和锗外延层。埋层氧化硅形成于硅衬底上，硅台面区...该专利属于中国科学院半导体研究所;青岛海信宽带多媒体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所;青岛海信宽带多媒体技术有限公司授权不得商用。