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本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率器件，栅极结构的多晶硅栅形成于深沟槽顶部侧面，两侧的多晶硅栅之间形成有第二介质层且该第二介质层深入到多晶硅栅的底部，源极多晶硅形成于第二介质层的底部并会和多晶硅栅的底部部分侧面交叠，在源极多晶硅和深沟槽的侧面和...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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