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本发明涉及一种鳍式晶体管的源漏区中的共形缓冲层，其提供鳍式晶体管制造方法及结构，包括例如：设置至少部分延伸于鳍片上方的栅极结构，该鳍片延伸于衬底结构上方，该栅极结构邻近该鳍片的至少一个区域设置；在该栅极结构上方及该鳍片的该至少一个区域上方共...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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