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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了配备有具有改善的耐压并且能够减小绝缘栅场效应晶体管部分截止时的浪涌电压的缓冲器部分的半导体器件。缓冲器半导体区中的第一导电类型杂质的浓度大于漂移层中的第一导电类型杂质的浓度。缓冲器绝缘膜的在缓冲器...
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