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本发明提供一种具有体内场板结构的VDMOS器件，每个元胞结构包括从下至上依次设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有槽形体场板区，槽形体场板区包括渐变介质层、多晶硅场板，N‑漂移区内部左右两侧分别设有P型掺杂区，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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