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本发明提供了一种基于Si衬底的GaN基高压HEMT器件外延结构及其制造方法。该器件外延结构包括：Si衬底（1）、AlN成核层（2）、AlGaN过渡层（3‑5）、第一AlGaN缓冲层（6）、低温AlN插入层（7）、第二AlGaN缓冲层（8）、...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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