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本发明涉及一种浮栅忆阻器，其基本结构依次包括前电极，前介质层，前浮栅层，纳米电池阳极，纳米电池电解质，纳米电池阴极，后浮栅层，后介质层，后电极；其中前电极、前介质层、前浮栅层和纳米电池阳极模拟了突触前膜，利用电子隧穿和场效应将电子信号转化为...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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