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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置具备：P型的半导体基板；配置在半导体基板中的N型的多个埋入扩散层；配置在第一埋入扩散层上的第一区域内的N型的第一半导体层；配置在第二埋入扩散层上的第二区域内的N型的第二半导体层；在第一埋入扩...
该专利属于精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。

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