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本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法以及分割半导体器件的方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括在衬底中形成沟槽，沟槽形成在衬底的第一侧内并且设置在部分衬底周围。在衬底的第一侧上方和沟槽上方形成第一绝缘材料，并且在第一绝缘材料...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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