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本发明涉及形成具有减少侧壁渐缩的互连特征，包括形成一材料迭层的方法，其包括具有导电特征位于其中的第一介电层，以及位于该第一介电层上方的第二介电层。在该第二介电层上方形成包括多个间隔开的掩模组件的蚀刻掩模。该掩模组件定义至少一个露出该第二介电...
该专利属于格罗方德半导体公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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