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本发明公开了一种用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备。本发明的磁控溅射腔室包括腔体、设置于腔体顶部的靶材、设置于靶材上方的磁控管、以及设置于腔体内部且位于靶材下方的基座，磁控管在靶材上的投影面积小于五分之一的靶材面积，以提高介质气体...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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