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一种用于制备阳极‑短路的场阑绝缘栅双极晶体管（IGBT）的方法，包含选择性地制备导电类型相反的第一和第二半导体植入区。第二导电类型的场阑层生长在衬底上方或植入到衬底中。外延层可以生长在衬底上或场阑层上。在外延层中，制备一个或多个绝缘栅双极晶...
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