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本文的实施方式一般针对半导体处理方法和装置。更具体地，这些实施方式涉及具有离子加速器的双室等离子体蚀刻器。半成品半导体衬底被提供在反应室中。所述反应室被栅组件分割成上子室和下子室。等离子体被产生在上子室中，衬底被置于下子室中。栅组件包括至少...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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