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本公开涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该方法包括将第一导电类型的第一掺杂剂原子结合到半导体衬底中以形成包括第一导电类型的第一掺杂区。此外，该方法包括在半导体衬底上形成外延半导体层，以及在形成外延半导体层之前或之后，结合第二导电类型...
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