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本发明提供一种基于补偿式电磁检测技术的安检门，检测线圈沿着安检门通道的方向设置A、B两层，且两层线圈呈反对称结构分布，发射线圈分别通入互为反相的电流信号，产生交互磁场，门内的磁场强度相互补偿，使形成的检测场更加均匀，强度更加合适，从而降低漏...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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