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共沉淀与热蒸发技术原位合成锥状SiC晶须的制备方法技术
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下载共沉淀与热蒸发技术原位合成锥状SiC晶须的制备方法的技术资料
文档序号:16030795
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本发明涉及一种采用共沉淀+热蒸发技术原位合成锥状SiC晶须的制备方法,通过CVI法在碳纤维预制体上沉积一层碳,填补预制体表面缺陷和提供充足的反应原料;其次将预制体放入含有催化剂的尿素溶液中浸渍,煅烧、还原制得纳米催化剂;再将该含有纳米催化剂...
该专利属于西北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过西北工业大学授权不得商用。
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