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本发明实施例公开了一种通过蓝宝石衬底制备多晶SiC薄膜的方法，涉及半导体薄膜材料技术领域，本发明包括：将清洗好的蓝宝石衬底(1)与SiC靶材置于真空反应腔体中，并将所述真空反应腔体抽至高真空状态，并对蓝宝石衬底(1)进行升温；往所述真空反应...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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